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直接敷铝(DAB)陶瓷基板与直接敷铜陶瓷基板(DBC)性能比较

来源: 发布时间: 2014-02-20 14:44:23

直接敷铝基板作为一种绝缘载体应用于电子电路而取得长足进展,该技术借了直接敷铜陶瓷基板技术。这类新型的直接敷Al基板在理论和实验上表现出好的特性。尽管它的特性在很多方面相似于直接敷Cu基板。对于直接敷Cu基板,由于金属铜的膨胀系数室温时为17.0 ′10-6/°C,96氧化铝陶瓷基板的热膨胀系数室温时为6.0′10-6/°C,铜和氧化铝敷接的温度较高(大于1000℃),界面会形成比较硬的产物CuAlO2,所以敷接铜的氧化铝基板的内应力较大,抗热震动性能相对较差,在使用中常常因疲劳而损坏。

  铝和铜相比,具有较低的熔点,低廉的价格和良好的塑性,纯铝的熔点只有660℃,纯铝的膨胀系数在室温时为23.0′ 10-6/℃,金属铝和氧化铝陶瓷基板的敷接是物理湿润,在界面上没有化学反应,而且纯铝所具有的优良的塑性能够有效缓解界面因热膨胀系数不同引起的热应力,研究也证实Al/Al2O3陶瓷基板具有非常优良的抗热震性能。这是直接敷Cu基板无法比拟的,同时金属铝和氧化铝陶瓷之间的抗剥离强度也较大。

  直接敷铝基板作为基板特别适合于功率电子电路直接敷铝基板性能不同于直接敷铜基板的性能,前者在高温循环下有更好的稳定性能。直接敷铝基板的芯片也表现出更好的稳定性,胜过直接敷铜基板。直接敷铝基板以它的高的抗热震性、低的重量,有望在将来开发出更好的性能,以满足更高的需求。

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